AI算力需求的结构性扩张，正推动全球存储产业进入新一轮资本开支超级周期，长鑫科技科创板IPO或成为国产半导体产业链订单兑现的关键催化剂。2026年5月，长鑫科技科创板IPO获审议通过，拟募资295亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级、DRAM技术升级及前瞻技术研发。国联民生证券指出，长鑫产能利用率已从2023年的87%升至2025年的约96%，接近满产，IPO募资落地后新一轮大规模资本开支有望重启。

资本开支传导将沿产业链节奏逐级释放，形成设备、零部件、材料三个层次的受益梯队。国联民生证券认为，此次产业脉冲的受益顺序清晰：设备环节最先受益，零部件随整机订单接力放量，材料耗材则在产线投片爬坡后持续兑现——各环节的弹性排序与投资节奏，是本轮布局的核心逻辑。

本轮存储景气与以往消费电子主导周期存在本质区别，核心驱动力是AI算力需求的快速扩张。HBM对常规DRAM产能的挤出效应是供需缺口的核心机制。据TrendForce测算，三大原厂HBM晶圆投入占DRAM总投入比重将从2025年的18%升至2026年的22%，2027年达30%。因HBM单位比特需晶圆产能为常规DDR5的2.5至3倍，每增加一片HBM产能即挤占数片通用DRAM产能，导致通用DRAM供给结构性压缩。

供需缺口推动原厂集体上调资本开支。美光FY2025资本开支约138亿美元，FY2026预计超250亿美元，同比增80%以上；三星FY2026总投资（含研发）超110万亿韩元（约733亿美元），首次突破100万亿韩元，明确表示存储领域资本开支将显著增加；SK海力士FY2025资本开支约30.2万亿韩元（约256亿美元），FY2026计划同比大幅增加，核心项目包括清州M15X新厂产能爬坡及忠清地区AI数据中心建设。TrendForce预测，AI需求将推动2026年DRAM与NAND Flash合计营收达8893亿美元，2027年增至约1.28万亿美元，同比增44%，其中DRAM增至9033亿美元，为市场扩张核心驱动力。

长鑫扩产资本开支按项目建设节奏逐级传导。第一阶段为前道设备招标与采购。据报道，长鑫2026年二季度已开启设备招投标，全年计划扩产5万至6万片晶圆，对应设备采购需求50亿至60亿美元。SEMI数据显示，设备价值量占产线总投资的70%至80%，是链条中最先受益节点。

第二阶段为核心零部件拉动。设备厂获批量订单后向上游传导备货需求，腔体、真空系统、射频电源、精密温控模组等核心零部件进入批量备货周期。部分核心零部件扩产需新增精密加工产线、完善工艺并完成客户验证，供给释放周期较长，需求高增阶段易成供给瓶颈，业绩弹性或高于设备厂商。

第三阶段为材料耗材持续释放。产线完成安装调试并进入产能爬坡后，电子特气、湿电子化学品、高纯靶材、CMP抛光液等耗材...