美东时间3月18日，美光发布2026财年第二季度财报，营收、毛利率、每股收益、自由现金流均创历史新高，第三季度业绩指引大幅超预期，董事会批准季度股息上调30%。

一、核心财务业绩

• 总营收：239亿美元，环比增长75%、同比增长196%，连续4个季度创新高；
• 毛利率：75%，环比提升18个百分点，创公司历史纪录；
• 自由现金流：69亿美元（单季度历史新高），环比增长77%；
• 非GAAP EPS：12.20美元，环比增长155%、同比增长682%；
• 业务板块：DRAM营收188亿美元（占79%，+207% YoY）、NAND 50亿美元（占21%，+169% YoY），云存储、核心数据中心、移动/消费、汽车/嵌入式四大业务均创新高。

二、产品与技术进展

• HBM：专为英伟达Vera Rubin设计的HBM4（36GB 12层堆叠）已批量出货，48GB 16层堆叠样品推出；HBM4E研发顺利，2027年量产，良率爬坡速度超HBM3E；
• DRAM：1γ制程量产良率/规模创公司最快，2026年中成为位出货主力；1δ节点将扩大EUV应用；256GB低功耗系统级芯片存储模组（LP SoC-M2）可支持单CPU 2TB容量；
• NAND：G9节点按计划推进，2026年中成为位出货主力；PCIe Gen6 SSD大规模量产；122TB大容量SSD获市场认可，单位功耗连续读取吞吐量是同容量HDD的16倍；QLC出货占比创新高。

三、行业与市场展望

• 供需格局：DRAM/NAND供应紧张持续至2026年后；2026年行业DRAM位出货低20%增长、NAND约20%增长，美光供应增速与行业持平；核心客户需求满足率仅50%-2/3；
• AI驱动：2026年数据中心DRAM/NAND位TAM首..

四、战略与产能布局

• 客户协议：签署首份5年期战略客户协议（SCA），替代传统1年期LTA，含明确产能/供应承诺，深化研发与路线图协同，多客户洽谈中；
• 产能扩张：2026财年资本支出上调至250亿美元以上，Q3预计70亿美元；2027年资本支出大幅增加（HBM/DRAM为重点）；收购力晶铜锣厂区（2028财年出货）并计划建第二洁净室；爱达荷、纽约、日本广岛、新加坡晶圆厂推进；印度封装厂商业出货，新加坡HBM先进封装厂2027年贡献供应；
• 研发投入：2027财年研发投入大幅增加，技术与量产协同加快前沿产品上市。

五、问答关键信息

• 毛利率：Q3指引81%，受益AI周期+供应约束，边际提价拉动减弱但长期支撑；
• SCA：多年期协议覆盖周期阶段，双方明确权利义务，暂不披露细节；
• 需求分配：供应紧张，向数据中心倾斜但保持各市场多元化；
• HBM：市场TAM预期未变，份额与DRAM整体持平，同步供应HBM3E/HBM4；
• 固态硬盘：数据中心SSD增长强劲，G9节点全品类覆盖提供动力，高带宽闪存（HBF）处早期验证阶段。

美光表示，数十年技术积累使其成为AI时代存储领域核心受益者，将持续夯实产能与研发，把握行业长期机遇。