AI仍在拉长存储上行周期，但行业交易逻辑正在从“涨价普惠”转向“结构分化”。大摩最新研报的核心判断是，存储仍处在有利周期中，但更偏好原厂而非模组厂，更偏好DRAM而非NAND。

大摩在7月2日发布的全球科技研报中更新了NAND供需模型。其测算显示，AI相关NAND需求将在2027年同比增长60%，推动全球NAND市场在2027年仍有约9%的供需缺口。短缺仍在，但市场不再是无差别紧张。

更关键的变化出现在需求两端。服务器和AI相关需求维持强劲，长期供货协议（LTA）为价格提供下行保护；但消费端已经出现涨价天花板信号。模组厂和分销商库存上升，智能手机和PC客户在销量与利润率之间承压，2Q26涨价后已开始出现实际砍单。

这意味着投资者需要重新审视存储链条中的相对位置。DRAM因LTA条款更好，需求可见度更高，供应纪律受EUV制约，以及潜在HBM4E产能挤压，战术上优于NAND；在NAND内部，原厂因利润韧性和供给控制力更强，优于模组厂。

AI需求仍是主线，NAND短缺延续至2027年

AI正在成为NAND增量需求的核心来源。AI NAND需求预计从2025年的205 EB升至2026年的400 EB，并在2027年进一步升至609 EB。AI在总NAND需求中的占比也将从2025年的18%提高至2026年的32%，再到2027年的41%。

在总量层面，预计全球NAND需求将从2025年的1111 EB升至2026年的1250 EB，并在2027年达到1484 EB。同期供应预计分别为1128 EB，1058 EB和1347 EB。对应供需充足率为2025年的2%，2026年的负15%，2027年的负9%。

这组数据说明，行业短缺并未快速结束。即便供应在2027年恢复至27%的同比增长，AI服务器、企业级SSD、QLC存储和CSP库存缓冲仍足以吸收大量新增供给。但这并不意味着NAND定价可以无限上行。AI需求与消费需求已经明显分叉，短缺主要集中在服务器和AI相关产品，消费级产品的涨价承受力正在下降。

价格信号分化：服务器强，消费端见顶

渠道调研显示，3Q26 TLC企业级SSD相关NAND价格环比涨幅约30%，但消费级NAND产品仅小幅上涨。DRAM端，服务器级产品3Q26价格环比涨幅约20%，传统DDR3和DDR4因供应继续收紧及AI相关需求增加，涨幅达到30%至40%。

LTA正在改变价格波动方式。内存供应商与主要客户仍在谈判长期协议，相关协议通常包含价格上限和下限。下限有助于保护原厂盈利和估值，上限则限制价格继续大幅上行的空间。客户态度也出现分化，更愿意为DRAM支付更高价格以锁定供应，而NAND涨价已遭遇一定阻力，这与消费电子客户利润率压力上升有关。

库存端同样释放警讯。供应商库存仍处于历史低位，但模组厂库存显著增加，分销商的消费级内存库存也Ł..